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Chemistry

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परिसर ऑक्साइड फिल्मों की पतली epitaxial विकास के लिए atomically परिभाषित टेम्पलेट्स
 
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परिसर ऑक्साइड फिल्मों की पतली epitaxial विकास के लिए atomically परिभाषित टेम्पलेट्स

Article doi: 10.3791/52209
December 4th, 2014

Summary December 4th, 2014

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विभिन्न प्रक्रियाओं जटिल ऑक्साइड पतली फिल्मों का epitaxial विकास के लिए atomically परिभाषित टेम्पलेट्स तैयार करने के लिए रेखांकित कर रहे हैं। एकल क्रिस्टलीय SrTiO 3 (001) और DyScO 3 का रासायनिक उपचार (110) substrates के atomically चिकनी, एकल समाप्त कर सतहों प्राप्त करने के लिए प्रदर्शन किया गया। CA दो नायब 3- 10 nanosheets मनमाना substrates पर atomically परिभाषित टेम्पलेट्स बनाने के लिए इस्तेमाल किया गया।

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