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Chemistry

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Modelli atomicamente definiti per epitassiale crescita di ossido Complex Thin Films
 
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Modelli atomicamente definiti per epitassiale crescita di ossido Complex Thin Films

Article doi: 10.3791/52209
December 4th, 2014

Summary December 4th, 2014

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Varie procedure sono descritte per preparare modelli atomicamente definiti per la crescita epitassiale di film sottili di ossidi complessi. Trattamenti chimici unici SrTiO cristallina 3 (001) e DyScO 3 (110) substrati sono stati eseguiti per ottenere atomicamente lisce superfici singole terminati. Ca 2 Nb 3 O 10 - nanosheets sono stati usati per creare modelli atomicamente definiti su substrati arbitrari.

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