Login processing...

Trial ends in Request Full Access Tell Your Colleague About Jove
JoVE Journal
Engineering

A subscription to JoVE is required to view this content.
You will only be able to see the first 2 minutes.

Beam Epitaxy המולקולרית בסיוע פלזמה של N-קוטבי InAlN-מחסום טרנזיסטורים-ניידות גבוהה-אלקטרון
 
Click here for the English version

Beam Epitaxy המולקולרית בסיוע פלזמה של N-קוטבי InAlN-מחסום טרנזיסטורים-ניידות גבוהה-אלקטרון

Article doi: 10.3791/54775
November 24th, 2016

Summary November 24th, 2016

Please note that all translations are automatically generated.

Click here for the English version.

epitaxy קרן המולקולרי משמש לגדול טרנזיסטורים N-קוטביים InAlN-המחסום גבוהה-אלקטרון-ניידות (HEMTs). פיקוח על הכנת הרקיק, תנאי גידול שכבה ומבנה epitaxial תוצאות בשכבות InAlN חלקות, הומוגנית בעלי רכב HEMTs עם ניידות גבוהה ככל 1,750 סנטימטר 2 / V ∙ שניות.

Read Article

Get cutting-edge science videos from JoVE sent straight to your inbox every month.

Waiting X
simple hit counter