实现高品质肖特基接触是异质结构场效应晶体管 (HFETs) 实现高效栅极调制的必要条件。本文介绍了基于 GaN 模板的等离子体辅助分子束外延生长的高浓度二维电子气体 (2DEG) 的锌极性 BeMgZnO/氧化锌异质结构中肖特基二极管的制备方法和特点。