U2O5 película preparación vía UO2 deposición por Sputtering de corriente directa y sucesiva oxidación y reducción con oxígeno atómico y el hidrógeno atómico
Este protocolo presenta la preparación de U2O5 películas delgadas obtenidas en situ en ultra alto vacío. El proceso implica la oxidación y la reducción de las películas de2 UO con oxígeno atómico y el hidrógeno atómico, respectivamente.