Summary

Crecimiento de la epitasa de haz molecular asistido por plasma de Mg3N2 y Zn3N2 Thin Films

Published: May 11, 2019
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Summary

Este artículo describe el crecimiento de películas epitaxiales de Mg3N2 y Zn3N2 en sustratos de MgO por epitaxiía de haz molecular asistida por plasma con gas N2 como fuente de nitrógeno y monitoreo óptico del crecimiento.

Abstract

Este artículo describe un procedimiento para el cultivo de películas Mg3N2 y Zn3N2 por epitaxía de haz molecular asistido por plasma (MBE). Las películas se cultivan en 100 sustratos MgO orientados con n2 gas como fuente de nitrógeno. Se describe el método para preparar los sustratos y el proceso de crecimiento de MBE. La orientación y el orden cristalino del sustrato y la superficie de la película son monitoreados por la reflexión de difracción de electrones de alta energía (RHEED) antes y durante el crecimiento. La reflectividad especular de la superficie de la muestra se mide durante el crecimiento con un láser Ar-ion con una longitud de onda de 488 nm. Al ajustar la dependencia temporal de la reflectividad a un modelo matemático, se determinan el índice de refracción, el coeficiente de extinción óptica y la tasa de crecimiento de la película. Los flujos metálicos se miden independientemente en función de las temperaturas celulares de derrame utilizando un monitor de cristal de cuarzo. Las tasas de crecimiento típicas son de 0,028 nm/s a temperaturas de crecimiento de 150 oC y 330 oC para películas Mg3N2 y Zn3N2, respectivamente.

Introduction

Los materiales II3-V2 son una clase de semiconductores que han recibido relativamente poca atención de la comunidad de investigación de semiconductores en comparación con los semiconductores III-V y II-VI1. Los nitruros Mg y Zn, Mg3N2 y Zn3N2,son atractivos para aplicaciones de consumo porque están compuestos de elementos abundantes y no tóxicos, haciéndolos baratos y fáciles de reciclar a diferencia de la mayoría de III-V y II-VI semiconductores compuestos. Muestran una estructura de cristal anti-bixbyita similar a la estructura CaF2, con uno de los f-sublattices fcc interpenetrantes siendo medio ocupado2,3,4,5. Ambos son materialesde separación de banda directa 6, por lo que son adecuados para aplicaciones ópticas7,8,9. La brecha de banda de Mg3N2 está en el espectro visible (2,5 eV)10, y la brecha de banda de Zn3N2 está en el infrarrojo cercano (1,25 eV)11. Para explorar las propiedades físicas de estos materiales y su potencial para aplicaciones de dispositivos electrónicos y ópticos, es fundamental obtener películas de cristal único de alta calidad. La mayor parte de los trabajos sobre estos materiales hasta la fecha se han realizado en polvos o películas policristalinas realizadas por esputo reactivo12,13,14,15,16, 17.

La epitaxía de haz molecular (MBE) es un método bien desarrollado y versátil para el cultivo de películas semiconductoras compuestas de un solo cristal18 que tiene el potencial de producir materiales de alta calidad utilizando un entorno limpio y fuentes elementales de alta pureza. Mientras tanto, la acción rápida del obturador MBE permite cambios en una película a la escala de capa atómica y permite un control preciso del espesor. Este artículo informa sobre el crecimiento de mg3N2 y Zn3N2 películas epitaxiales en sustratos de MgO por MBE asistido por plasma, utilizando Zn y Mg de alta pureza como fuentes de vapor y N2 gas como fuente de nitrógeno.

Protocol

1. Preparación del sustrato de MgO NOTA: Para el crecimiento de la película delgada X3N2 (X – Zn y Mg) se emplearon sustratos cuadrados de cristal único orientados a un lado (100) (1 cm x 1 cm). Recocido de alta temperatura Coloque el MgO en un portamuestras de obleas de zafiro limpio con el lado pulido orientado hacia arriba en un horno y recocido durante 9 h a 1.000 oC. Elevar la temperatura a 1000 oC durante un período de 10 minutos.<br…

Representative Results

El objeto negro en el recuadro en la Figura 5B es una fotografía de una película delgada de 200 nm Zn3N2. Del mismo modo, el objeto amarillo en el recuadro en la Figura 5C es una película delgada de 220 nm Mg3N2 cultivada. La película amarilla es transparente en la medida en que es un texto fácil de leer colocado detrás de la película10. <p class="jove…

Discussion

Una variedad de consideraciones está involucrada en la elección de sustratos y el establecimiento de las condiciones de crecimiento que optimizan las propiedades estructurales y electrónicas de las películas. Los sustratos de MgO se calientan a alta temperatura en el aire (1000 oC) para eliminar la contaminación por carbono de la superficie y mejorar el orden cristalino en la superficie del sustrato. La limpieza ultrasónica en acetona es un buen método alternativo para limpiar los sustratos de MgO.

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Disclosures

The authors have nothing to disclose.

Acknowledgements

Este trabajo fue apoyado por el Consejo de Investigación de Ciencias Naturales e Ingeniería de Canadá.

Materials

(100) MgO University Wafer 214018 one side epi-polished
Acetone Fisher Chemical  170239 99.8%
Argon laser Lexel Laser 00-137-124 488 nm visible wavelength, 350 mW output power
Chopper  Stanford Research system  SR540  Max. Frequency: 3.7 kHz 
Lock-in amplifier  Stanford Research system  37909 DSP SR810, Max. Frequency: 100 kHz 
Magnesium  UMC MG6P5 99.9999%
MBE system VG Semicon V80H0016-2 SHT 1 V80H-10
Methanol  Alfa Aesar L30U027 Semi-grade 99.9%
Nitrogen Praxair 402219501 99.998%
Oxygen  Linde Gas 200-14-00067 > 99.9999%
Plasma source SVT Associates SVTA-RF-4.5PBN PBN, 0.11" Aperture, Specify Length: 12" – 20"
Si photodiode  Newport 2718 818-UV Enhanced, 200 – 1100 nm
Zinc  Alfa Aesar 7440-66-6 99.9999%

References

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Cite This Article
Wu, P., Tiedje, T. Plasma-Assisted Molecular Beam Epitaxy Growth of Mg3N2 and Zn3N2 Thin Films. J. Vis. Exp. (147), e59415, doi:10.3791/59415 (2019).

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