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घन पर जांच एटम टोमोग्राफी स्टडीज (में, गा) से<sub> 2</sub> अनाज सीमाएँ
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Atom Probe Tomography Studies on the Cu(In,Ga)Se2 Grain Boundaries
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घन पर जांच एटम टोमोग्राफी स्टडीज (में, गा) से<sub> 2</sub> अनाज सीमाएँ

DOI:
10.3791/50376-v

•

09:51 min

•

April 22, 2013

•

, , , , ,
1Department of Microstructure Physics and Alloy Design,Max-Planck-Institut für Eisenforschung GmbH, 2Zentrum für Sonnenenergie- und Wasserstoff-Forschung Baden-Württemberg ( ZSW )

Chapters

  • 00:05Title
  • 02:29Sample Fabrication for Atom Probe Tomography Analysis
  • 05:43Atom Probe Tomography Analysis in a CAMECA LEAP 3000X HR System
  • 06:31Reconstruction of Atom Probe Tomography Data
  • 07:13Results: Elemental Maps and Concentration Depth Profiles of a Grain Boundary
  • 08:38Conclusion

Summary

Automatic Translation

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इस काम में, हम एक CIGS सौर सेल में अवशोषक परत की सीमाओं को अनाज का अध्ययन करने के लिए परमाणु जांच टोमोग्राफी तकनीक के उपयोग का वर्णन. एक ज्ञात संरचना के साथ वांछित सीमा अनाज युक्त परमाणु सुझाव जांच को तैयार करने के लिए एक उपन्यास दृष्टिकोण भी यहां प्रस्तुत किया है.

Tags

Atom Probe TomographyCu(InGa)Se2Grain BoundariesNanoscale CharacterizationSite-specific Sample PreparationFocused-ion-beamElectron Backscatter DiffractionTransmission Electron MicroscopyThin-film Solar Cells

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