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Lumière amélioré la passivation de l'acide fluorhydrique: une technique sensible pour détecter des défauts de silicium massif
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Light Enhanced Hydrofluoric Acid Passivation: A Sensitive Technique for Detecting Bulk Silicon Defects
DOI:

09:15 min

January 04, 2016

Chapters

  • 00:05Title
  • 01:02Cleaning and Etching the Silicon Wafers
  • 04:08Silicon Wafer Passivation and Photoconductive (PC) Measurement
  • 07:08Results: Silicon Wafer Photoconductive Measurement after Surface Passivation
  • 08:10Conclusion

Summary

Automatic Translation

A la surface du liquide de passivation technique RT pour étudier l'activité de recombinaison des défauts de silicium en vrac est décrit. Pour la technique soit efficace, trois étapes essentielles sont nécessaires: (i) le nettoyage et la gravure chimique du silicium, (ii) immersion de silicium dans de l'acide fluorhydrique à 15% et (iii) l'illumination pendant 1 min.

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