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Effetto di piegare sulle caratteristiche elettriche di transistor ad effetto di campo basati su cristallo Flexible Organic singolo
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Engineering
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JoVE Journal Engineering
Effect of Bending on the Electrical Characteristics of Flexible Organic Single Crystal-based Field-effect Transistors
DOI:

08:43 min

November 07, 2016

,

Chapters

  • 00:05Title
  • 00:43Grow Single Crystals of TCDAP Using a Physical Vapor Transfer (PVT) System
  • 01:43Device Fabrication
  • 04:09Measure the Performance of the Device and Bending Experiments
  • 05:32Results: Measuring Properties of Bent Organic Electronic Devices
  • 06:38Conclusion

Summary

Automatic Translation

Questo manoscritto descrive il processo di piegatura di un singolo transistor a effetto di campo a base di cristallo organica di mantenere un dispositivo funzionante, per la misura di proprietà elettroniche. I risultati suggeriscono che provoca flessione cambiamenti nella spaziatura molecolare nel cristallo e quindi del tasso salti di carica, che è importante in elettronica flessibili.

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