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N極性のInAlNバリア高電子移動度トランジスタのプラズマ支援分子線エピタキシ
 
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N極性のInAlNバリア高電子移動度トランジスタのプラズマ支援分子線エピタキシ

Article doi: 10.3791/54775
November 24th, 2016

Summary November 24th, 2016

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分子線エピタキシーは、N極性のInAlNバリア高電子移動度トランジスタ(HEMTの)を成長させるために使用されます。 1,750 cm 2の/ V∙秒という高い移動度を有する滑らかな、組成的に均質のInAlN層とのHEMTのウエハ製剤の制御、層の成長条件とエピタキシャル構造をもたらします。

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