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원자 층 증착을 통해 게르마늄에 페 로브 스카이 스트론튬 티탄의 에피 택셜 성장
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Epitaxial Growth of Perovskite Strontium Titanate on Germanium via Atomic Layer Deposition
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원자 층 증착을 통해 게르마늄에 페 로브 스카이 스트론튬 티탄의 에피 택셜 성장

DOI:
10.3791/54268-v

•

09:45 min

•

July 26, 2016

•

, , ,
1McKetta Department of Chemical Engineering,The University of Texas at Austin

Chapters

  • 00:05Title
  • 01:20Cleaning the Germanium Substrate
  • 02:46Loading to the Vacuum System and Germanium Deoxidization
  • 04:30Thin Film ALD Growth and Annealing of the Strontium Titanate (STO) Film
  • 07:23Results: RHEED and X-ray Diffraction Analysis
  • 08:41Conclusion

Summary

Automatic Translation

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이 작업은 원자 층 증착에 의해 게르마늄 기판 상에 직접 결정 된 SrTiO3 (3)의 성장 및 특성화에 대한 세부 절차. 절차는 금속 산화물 반도체 소자에 모 놀리 식 반도체 산화물을 통합하는 모든 화학 성장 법의 성능을 나타낸다.

Tags

Epitaxial GrowthPerovskiteStrontium TitanateGermaniumAtomic Layer DepositionMicroelectronicsDielectricCrystalline OxidesInterface StatesManufacturingPrecursorsMolecular Beam EpitaxySubstrate CleaningUV Ozone CleaningVacuum System

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