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ゲート定義のGaAs / AlGaAs系横量子ドットのナノファブリケーション
 
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ゲート定義のGaAs / AlGaAs系横量子ドットのナノファブリケーション

Article DOI: 10.3791/50581
November 1st, 2013

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Summary November 1st, 2013

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本論文では、ガリウム砒素ヘテロ構造上のゲート定義の半導体量子ドットの横の詳細な製造プロトコルを提示します。これらのナノスケールのデバイスは、量子情報処理やコヒーレントコンダクタンス測定などの他のメゾ実験のための量子ビットとして使用するためのいくつかの電子をトラップするために使用される。

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