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Nanofabrication de Puerta definidos GaAs / AlGaAs laterales puntos cuánticos
 
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Nanofabrication de Puerta definidos GaAs / AlGaAs laterales puntos cuánticos

Article DOI: 10.3791/50581
November 1st, 2013

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Summary November 1st, 2013

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En este trabajo se presenta un protocolo detallado para la fabricación de puertas definidas por puntos cuánticos semiconductores laterales en heteroestructuras de arseniuro de galio. Estos dispositivos a nanoescala se utilizan para atrapar a pocos electrones para su uso como bits cuánticos en el procesamiento de información cuántica o de otros experimentos mesoscópicas tales como mediciones de conductancia coherentes.

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