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Cálculo teórico y verificación experimental para la reducción de la dislocación en capas epitaxiales de germanio con huecos semicilíndricos en silicio
 
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Cálculo teórico y verificación experimental para la reducción de la dislocación en capas epitaxiales de germanio con huecos semicilíndricos en silicio

Article DOI: 10.3791/58897-v 06:57 min July 17th, 2020
July 17th, 2020

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Se propone el cálculo teórico y la verificación experimental para una reducción de la densidad de dislocación de roscado (TD) en capas epitaxiales de germanio con huecos semicilíndricos en silicio. Se presentan cálculos basados en la interacción de TD y superficie a través de la fuerza de imagen, mediciones de TD y observaciones de microscopio electrónico de transmisión de TD.

Tags

Ingeniería Número 161 Fotónica de silicio germanio Ge crecimiento de cristales crecimiento epitaxial selectivo densidad de dislocación de roscado fuerza de imagen cálculo teórico deposición química de vapor CVD microscopio electrónico de transmisión TEM
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