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Herstellung von uniformen Nanoschuppen-Cavities über Silicon Direct Wafer Bonding
 
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Herstellung von uniformen Nanoschuppen-Cavities über Silicon Direct Wafer Bonding

Article DOI: 10.3791/51179-v 10:32 min January 9th, 2014
January 9th, 2014

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Beschrieben wird ein Verfahren zum dauerhaften Verkleben von zwei Siliziumwafern, um ein einheitliches Gehäuse zu realisieren. Dazu gehören Wafervorbereitung, Reinigung, RT-Bindung und Glühprozesse. Die resultierenden gebundenen Wafer (Zellen) haben eine Gleichmäßigkeit des Gehäuses von 1%1,2. Die resultierende Geometrie ermöglicht Messungen von geschlossenen Flüssigkeiten und Gasen.

Tags

Physik Ausgabe 83 Silizium-Direktwaferbindung Nanoskalige gebundene Wafer Siliziumwafer begrenzte Flüssigkeiten lithographische Techniken
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