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바나듐이 산화물 및 온도 따른 광 모델의 원자 층 증 착
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Atomic Layer Deposition of Vanadium Dioxide and a Temperature-dependent Optical Model
DOI:

11:10 min

May 23, 2018

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Chapters

  • 00:04Title
  • 00:56Atomic Layer Deposition (ALD) of Amorphous Vanadium Dioxide (VO2 ) on Sapphire Substrates
  • 03:06Annealing Amorphous VO2 Thin Films
  • 04:45Characterization of VO2 Films by Raman Spectroscopy
  • 05:43Characterization of VO2 Films by X-Ray Photoelectron Spectroscopy (XPS)
  • 07:31Morphological Characterization by Atomic Force Microscopy (AFM)
  • 09:06Results: Characterization of Amorphousand Crystalline VO2 Films
  • 10:49Conclusion

Summary

Automatic Translation

바나듐이 산화물 (VO2)의 박막 (100-1000 Å)는 사파이어 기판에 원자 층 증 착 (ALD)에 의해 창조 되었다. 이 따라 광학 속성은 VO2의 금속-절연체 전이 통해 특징 이었다. 측정 된 광학 속성에서 모델 VO2의 가변 굴절률을 설명 하기 위해 만들었습니다.

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